原子掺杂是提高石墨烯电容性能的有效方法,rubycon授权代理掺杂石墨烯材料
原子掺杂是提高石墨烯电容性能的有效方法,rubycon授权代理掺杂石墨烯材料
rubycon授权代理掺杂石墨烯材料,杂原子掺杂是提高石墨烯电容性能的有效方法。这是由于杂原子的引入可以显著影响相邻碳原子的自旋电子密度和电荷分布,同时能够有效改善碳材料表面润湿性,并形成赝电容,大幅提高石墨烯材料的电容特性,在氨气气氛下对氧化石墨进行700℃高温处理,再经微波剥离并活化,得到比表面积高达2000m2·g-1的N掺杂石墨烯材料。在6mol·L-1的KOH电解液中,掺N量为2.3%的石墨烯在0.2A·g-1的电流密度下的比电容为420F·g-1,比未掺杂N时的比电容(160F·g-1)有了显著提高,rubycon授权代理以氧化石墨为原料,尿素为还原剂和氮掺杂剂,在160℃、3h水热条件下合成了不同氮掺杂含量的石墨烯。电化学测试表明,氮含量为7.50%的掺杂石墨烯超级电容性能最佳,比电容可达到184.5F·g-1。经1200次充/放电后,比电容仍可维持在87.6%,显示出较高的比电容和良好的循环寿命,通过热分解法制备B掺杂的石墨烯,其在0.5A·g-1的电流密度下比电容是172.5F·g-1,且5000次充/放电循环后仍保持初始电容的96.5%,表现出良好的循环稳定性。