专业红宝石电容值耗尽型区弱反型区强反型区

栅压会产生厚度不一样的反型层，从而有不同的电容值。

(1)耗尽型区：栅压为一很负的值，栅上的负电压就会把衬底中的空穴吸引到氧化层表面，即构成了积累区，此时，由于只有积累区出现，而无反型层，且积累层的厚度很厚，因此积累层的电容可以忽略。故此时的NMOS管可以看成一个单位面积电容为Cox的电容，其中间介质则为栅氧。当VGS上升时，衬底表面的空穴浓度下降，积累层厚度减小，则积累层电容；增大，该电容与栅氧电容相串联后使总电容减小，直至VGs趋于0，积累层消失，当VGS略大于o时，在栅氧下产生了耗尽层，总电容最小。

(2)弱反型区：VGS继续上升，则在栅氧下面就产生耗尽层，并开始出现反型层，该器件进入了弱反型区，在这种模式下，其电容由Cox与Cb串联而成，并随VGS的增人，其电容量逐步增大。

(3)强反型区：当VGS超过Vth，其二氧化硅表面则保持为一沟道，且其单位电容又为Cox。