瓷介电容器的结构与特点
瓷介电容器的结构与特点
瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。
I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。
II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。
CC1型圆片高频瓷介电容
适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v
允许偏差：5p（+-0.5p） 6-10p（+-1P） 10p以上（J，K，M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%
瓷介电容器又称陶瓷电容器，它以陶瓷为介质，涂敷金属薄膜（一般为银）经高温烧结而形成电极，再在电极上焊上引出线，外表涂以保护磁漆，或用环氧树脂及酣自主树脂包封，即成为瓷介电容器。
瓷介电容器的结构与特点
作为资介电容器介质的陶瓷材料是由各种原料按照不同的配方经高温烧结后制成的。陶程材料配方不同，它的电性能也不-样。利用这一点，就可以制造出各种不同介电常数和不同温度系数的电容器，以满足不同的使用要求。一起跟随小编进入本文的主题吧。
瓷介电容器常用的陶瓷介质材料有以下三类：
Ⅰ型电容器陶瓷：它的介电常数一般小于100 ，电气性能稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变而变化，属超稳定、低损耗的电容器介质材料，常用于对稳定性、可靠性要求较高的高频、超高频、甚高频的场合。
Ⅱ型电容器陶瓷：它的介电常数一般大于1000 ，电气性能较稳定，适用于隔直、耦合、旁路和洁、波电路及对可靠性要求较高的中、低频场合。因型电容器陶盟：它具有很高的介电常数，广泛应用于对容量稳定性和损耗要求不高的场合。
以铁酸顿为主的陶瓷材料为介质的电容器被称为独石瓷介电容器，它由多层片状陶瓷膜叠起来烧结而成。由于它的每片陶盗膜很薄，因此具有容量大、体积小的特点。
瓷介电容器具有以下特点：
1.由于电容器的介质材料为陶哇，所以耐热性能良好，不容易老化。
2.瓷介电容器能耐酸碱及盐类的腐蚀，抗腐蚀性好。
3.低频陶瓷材料的介电常数大，因而低频瓷介电容器的体积小、容量大。
4.绝缘性能好，可制成高压电容器。
5.高频陶瓷材料的损耗角正切值与频率的关系很小，因而在高频电路可选用高频监介电容器。
6.价格便宜，原材料丰富，适宜大批量生产。
7.盟介电容器的电容量较小，机械强度较低。
