碳化硅（SiC）外延生长法，日本红宝石品牌电容外延生长法
 

日本红宝石品牌电容外延生长法外延生长法是通过碳化物分解或烃类化合物的化学气相沉积在金属或者金属碳化物的衬底表面外延生长出石墨烯的方法。目前应用较

 

多的是碳化硅（SiC）外延生长法。先将SiC表面氧化或用氢气刻蚀，处理后置于超高真空下，利用电子束去轰击SiC晶片，加热到1000℃除去其表面的氧化物，继续

 

加热样品至1250～1450℃，恒温1～2min使其表面层中的硅原子蒸发，剩余的碳原子在表面重新排列，即在晶片表面外延生长出石墨烯。调控其工艺参数还可实现单

 

层和多层石墨烯的可控制备。利用这种方法制得的石墨烯质量较高，且生成的石墨烯不易从基底分离。另外，整个制备过程温度及真空度要求较高，生产条件过于苛

 

刻，所以在大规模石墨烯生产方面仍有很大限制。