从电容充放电公式推导到MOS驱动电阻功耗计算
从电容充放电公式推导到MOS驱动电阻功耗计算
在之前的文章中写到过电容充放电表达式，式中R表示串联电阻，C表示电容容值，V1表示电源电压，V0表示电容两端初始电压，Vt代表在t时刻电容两端电压。
一．充电公式推导
在t=0,t时刻建立关系式：
1.在初始时刻t=0，此时有Vt=V0，回路电流i=(V1-V0)/R，
2.在t时刻,回路电流i=(V1-Vt)/R，
二.放电公式推导
与充电阶段类似，放电阶段可以等效为V1=0，
对公式十一两侧分别积分可得：
接下来在t=0,
1.在初始时刻，t=0，此时有Vt=V0，回路电流i=V0/R
2.在t时刻,回路电流i=Vt/R
电容充放电都满足以下公式，其中R表示串联电阻，C表示电容容值，V1表示电源电压，V0表示电容两端初始电压，Vt代表在t时刻电容两端电压：
三.电容储能计算公式推导
电容储能可以用W(焦耳)来表示，等于电压乘电流乘时间，W=P*t=u*i*t……