实际电容器的等效模型
实际电容器的等效模型
实际电容的特性都是非理想的，有一些寄生效应；因此，需要用一个较为复杂的模型来表示实际电容，常用的等效模型如下
：由于介质都不是严格绝缘的，存在着一定的导电能力。因此，任何电容都存在着漏电流，以等效电阻Rleak表示；
电容器的导线、电极具有一定的电阻率，电介质存在一定的介电损耗；这些损耗统一以等效串联电阻ESR表示；
电容器的导线存在着一定的电感，在高频时影响较大，以等效串联电感ESL表示；
另外，任何介质都存在着一定电滞现象，就是电容在快速放电后，突然断开电压，电容会恢复部分电荷量，以一个串联RC电
路表示。
大多数时候，我们主要关注电容的ESR和ESL，品质因数(Quality Factor)
和电感一样，可以定义电容的品质因数，也就是Q值，也就是电容的储存功率与损耗功率的比：
Qc=(1/ωC)/ESR
Q值对高频电容是比较重要的参数。
自谐振频率(Self-Resonance Frequency)
由于ESL的存在，与C一起构成了一个谐振电路，其谐振频率便是电容的自谐振频率。在自谐振频率前，电容的阻抗随着频率
增加而变小；在自谐振频率后，电容的阻抗随着频率增加而变小，就呈现感性。
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