红宝石电容rubycon：正电荷技术是什么？
红宝石电容rubycon：正电荷技术是什么？
从单晶硅到无定形态的二氧化硅间的界面上存在着突变。在二氧化硅分子中，每个硅原子和四个氧原子键合，每个氧原子和四个硅原子键合。但在Si/SiO2界面上
，如下图所示，有些硅原子并没有和氧原子键合，导致部分硅原子成为受主，所以距Si/SiO2界面2nm以内，硅的不完全氧化是带正电的固定氧化物电荷区。界面处
积累的其他一些电荷包括界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷，界面陷阱电荷主要是由结构缺陷、氧化诱生缺陷或者金属杂质引起的正的或负的电荷组成；可移动电
荷主要是由于可动离子玷污引起的，这些在界面处堆积的正电荷积累层会在硅衬底中感应出相应的负电荷，这些负电荷层就在两个N+条之间形成导电沟道，从而降
低了条间电阻，对探测条的电荷收集产生不利影响。对此，可以在两N+条之间用离子注入的方法注入B离子形成P+条。这样，相邻两N+条与N+条之间的P+条都处于
反向偏置，有效的阻断了条与条之间的表面沟道，这种技术称为P-stop技术 。
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